arabdict Dictionary & Translator - Arabic-English translation for Random-Access Memory

      Translate | Synonyms | Opposites | Correct

      Translate English Arabic Random-Access Memory

      English
       
      Arabic
      related Translations

      Examples
      • Dynamic random access memory.
        عملياً، هي دارة كهربائية
      • (c) Static random access memory
        (ج) ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة
      • This has been upheld by the WTO panel on DRAMS (Dynamic Random Access Memory Semiconductors).
        وأيد ذلك فريق منظمة التجارة العالمية المعني بأشباه الموصلات لذاكرة التوصل العشوائي الدينامي(44).
      • ISAS has developed a radiation-hardened static random access memory (SRAM) by means of a commercial 0.2-micron silicon on insulator (SOI) process, in collaboration with Mitsubishi Heavy Industries Ltd.
        طور ايساس ذاكرة ساكنة للوصول العشوائي (SRAM) معززة اشعاعيا عن طريق عملية قوامها 0.2 ميكرون من السيليكون على عازل، وذلك بالتعاون مع شركة ميتسوبيشي المحدودة للصناعات الثقيلة.
      • WTO Appellate Body Report, United States — Countervailing Duty Investigation on Dynamic Random Access Memory Semiconductors (DRAMS) from Korea, WT/DS296/AB/R, 27 June 2005, para. 69 (footnotes omitted).
        WTO Appellate Body Report, United States — Countervailing Duty Investigation on Dynamic Random Access Memory Semiconductors (DRAMS) from Korea, WT/DS296/AB/R, 27 June 2005,para.69 (الحواشي محذوفة).
      • In addition, TNCs in the mid-1960s created opportunities for firms in the Republic of Korea to compete in the area of higher-value-added products by absorbing technology from TNCs (e.g. in the field of dynamic random access memories (DRAMs)).
        وعلاوة على ذلك، أتاحت الشركات عبر الوطنية في منتصف الستينيات من القرن الماضي فرصاً للشركات في جمهورية كوريا للتنافس في مجال المنتجات التي تحقق قيمة مضافة أعلى باستيعابها للتكنولوجيا التي وفرتها الشركات عبر الوطنية (مثلاً، في ميدان ذاكرة الوصول العشوائي الدينامي).
      • "Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated-circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
        ألف - 1 - أ - 2 “الدوائر الدقيقة للمعالجات الدقيقة”، و “الدوائر الدقيقة للحواسيب الدقيقة”، والدوائر الدقيقة للمتحكمات الدقيقة، والمحولات التناظرية الرقمية والمحولات الرقمية التناظرية، والدوائر الكهرو - ضوئية أو “الدوائر المتكاملة الضوئية” المصممة لـ “معالجة الإشارات”، والأجهزة المنطقية الميدانية القابلة للبرمجة، والدوائر المنطقية للشبكات العصبية، والدوائر المتكاملة الموصى عليها إما المجهولة وظيفتها أو المجهول وضع المعدات التي ستستخدم فيها الدائرة المتكاملة ، ومعالجات فورييه السريعة للتحويل ، والذاكرات الكهربائية القابلة للمحو التي يمكن الوصول إليها عشوائيا، وذاكرات فلاش أو الذاكرات السكونية التي يمكن الوصول إليها عشوائيا، بحيث يتوافر فيها ما يلي:
      • In its 2005 report on United States — Countervailing Duty Investigation on Dynamic Random Access Memory Semiconductors (DRAMS) from Korea, the Appellate Body noted that the Republic of Korea, in support of its argument that the panel's interpretation of article 1.1(a)(1)(iv) of the Agreement on Subsidies and Countervailing Measures — that a private body may be entrusted to take an action even when the action never occurs — was legally and logically incorrect, had referred to article 8 of the articles finally adopted by the International Law Commission in 2001.
        في تقريرها الصادر عام 2005 عن الولايات المتحدة - التحقيق الخاص بالرسم التعويضي على أشباه موصلات الذاكرة الدينامية المتجددة المحتوى المستوردة من كوريا (United States - Countervailing Duty Investigation on Dynamic Random Access Memory Semiconductors (DRAMS) from Korea)، أشارت هيئة الاستئناف إلى أن جمهورية كوريا، دعما لحجتها بأن تفسير الفريق للمادة 1-1(أ)(1)('4`) من الاتفاق المتعلق بالإعانات والتدابير التعويضية - بإمكانية أن يُعهد لهيئة خاصة أن تتخذ إجراء حتى في حال عدم حدوث الإجراء على الإطلاق - لم يكن سليما من الناحيتين القانونية والمنطقية، قد أشارت إلى المادة 8 من المواد التي اعتمدتها لجنة القانون الدولي بصفة نهائية عام 2001.